[发明专利]用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法有效
申请号: | 201180041583.7 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN103053008A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | M.菲尔方格;S.约斯特 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;刘春元 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及用于在至少一个加热室和至少一个冷却室中对至少两个相叠布置的工艺层面上的至少两个多层本体进行连续热处理的装置,所述加热室和冷却室相继布置,其中加热室包括:第一工艺层面(3.1),其具有用于至少一个第一多层本体(4.1)的第一工艺框(5.1),所述第一工艺框(5.1)位于第一辐射器阵列(2.1)与第二辐射器阵列(2.2)之间,所述辐射器阵列具有用于加热第一多层本体(4.1)的加热辐射器(9);第二工艺层面(3.1),其具有用于至少一个第二多层本体(4.2)的第二工艺框(5.2),所述第二工艺框位(5.2)于第二辐射器阵列(4.2)与第三辐射器阵列(4.3)之间,所述辐射器阵列具有用于加热第二多层本体(4.2)的加热辐射器(9);其中第一辐射器阵列(2.1)和第二辐射器阵列(2.2)被构造为使得由第一辐射器阵列(2.1)以与第二辐射器阵列(2.2)不同的辐射强度照射第一工艺层面(2.1),和/或其中第二辐射器阵列(2.2)和第三辐射器阵列(2.3)被构造为使得由第二辐射器阵列(2.2)以与第三辐射器阵列(2.3)不同的辐射强度照射第二工艺层面(2.2),并且其中冷却室(KK1)包括:冷却装置;第一工艺层面(3.1),其用于冷却至少一个第一多层本体(4.1);以及第二工艺层面(3.2),其用于冷却至少一个第二多层本体(4.2)。 | ||
搜索关键词: | 用于 多层 本体 进行 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在至少一个加热室(HK1)和至少一个冷却室(KK1)中对至少两个相叠布置的工艺层面(3.1,3.2)上的至少两个多层本体(4.1,4.2)进行热处理的装置,所述加热室(HK1)和冷却室(KK1)在传输方向上相继布置,其中加热室(HK1)包括:—第一工艺层面(3.1),其具有用于至少一个第一多层本体(4.1)的第一工艺框(5.1),所述第一工艺框(5.1)位于第一辐射器阵列(2.1)与第二辐射器阵列(2.2)之间,所述辐射器阵列具有用于加热第一多层本体(4.1)的加热辐射器(9),—第二工艺层面(3.1),其具有用于至少一个第二多层本体(4.2)的第二工艺框(5.2),所述第二工艺框(5.2)位于第二辐射器阵列(2.2)与第三辐射器阵列(2.3)之间,所述辐射器阵列具有用于加热第二多层本体(4.2)的加热辐射器(9),其中第一辐射器阵列(2.1)和第二辐射器阵列(2.2)被构造为使得由第一辐射器阵列(2.1)以与第二辐射器阵列(2.2)不同的辐射强度照射第一工艺层面(3.1),和/或其中第二辐射器阵列(2.2)和第三辐射器阵列(2.3)被构造为使得由第二辐射器阵列(2.2)以与第三辐射器阵列(2.3)不同的辐射强度照射第二工艺层面(3.2),并且其中冷却室(KK1)包括—冷却装置,—第一工艺层面(3.1),其用于冷却至少一个第一多层本体(4.1);以及第二工艺层面(3.2),其用于冷却至少一个第二多层本体(4.2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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