[发明专利]硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，所述蚀刻液用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，选择性地蚀刻该由硅形成的虚拟栅，所述晶体管的制造方法为：利用去除由硅形成的虚拟栅并将其替换为铝金属栅的方法，来制造具有至少由高介电材料膜和铝金属栅形成的层叠体的晶体管的方法。一种硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，其用于上述由硅形成的虚拟栅的蚀刻，所述硅蚀刻液含有：选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1～40重量%，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5～50重量%，以及水40～94.9重量%。

主权项

一种硅蚀刻液，其含有选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1~40重量%，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5~50重量%，以及水40~94.9重量%，其用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，该晶体管的制造方法的特征在于，使用在基板上具有至少层叠高介电材料膜和由硅形成的虚拟栅而成的虚拟栅层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁以及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜的结构体，将该虚拟栅替换为铝金属栅，H2N‑(CH2CH2NH)m‑H…(1)其中，m为2~5的整数，H‑(CH(OH))n‑H…(2)其中，n为3~6的整数。