[发明专利]装置和方法有效
申请号: | 201180041761.6 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN103080373A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | P·索伊尼宁;S·斯耐克 | 申请(专利权)人: | BENEQ有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 本发明涉及用于根据原子层沉积方法的原理通过使基体(2)的表面(4)与至少第一起始材料(A)和第二起始材料(B)交替发生表面反应而处理基体(2)的表面(4)的装置和方法。根据本发明,通过相对于基体(2)移动源(6,7,8),将第一起始材料(A)局部地供给至基体(2)的表面(4),并且被第一起始材料(A)处理的基体(2)的表面(4)暴露于源(6,7,8)周围的气氛(1)中的第二起始材料(B)。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种根据原子层沉积方法的原理通过使基体(2)的表面(4)与至少第一起始材料(A)和第二起始材料(B)交替发生表面反应来处理所述基体(2)的所述表面(4)的装置,其特征在于,所述装置包括一个或多个源(6,7,8),所述一个或多个源(6,7,8)用于将第一起始材料(A)局部地供给至所述基体(2)的所述表面(4),并且所述源(6,7,8)定位在气氛(1)中,所述气氛(1)包括第二起始材料(B)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的