[发明专利]蓝宝石基板的蚀刻方法无效
| 申请号： | 201180043039.6 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103168346A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 西宫智靖;高桥宏行;奥本昭直;丸野敦纪 | 申请（专利权）人： | 莎姆克株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种蓝宝石基板的蚀刻方法，其在半导体发光元件所用的蓝宝石基板上形成光刻胶图案，照射波长为400nm以下的紫外线后，将上述光刻胶图案作为掩模进行干式蚀刻，其具备以下步骤：预烘烤步骤，在涂布光刻胶后、照射紫外线之前，以较上述紫外线的照射时更高的温度对上述蓝宝石基板进行加热；后烘烤步骤，在照射紫外线后，以较预烘烤步骤更高的温度对上述蓝宝石基板进行加热；及蚀刻步骤，在上述后烘烤步骤后，将上述光刻胶图案作为掩模进行干式蚀刻，藉此在上述蓝宝石基板上形成多个侧壁相对于该蓝宝石基板的表面的角度为90°以下的凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石基板的蚀刻方法，其在半导体发光元件所用的蓝宝石基板上形成光刻胶图案，照射波长为400nm以下的紫外线后，以该光刻胶图案为掩模进行干式蚀刻，该蓝宝石基板的蚀刻方法具备以下步骤：预烘烤步骤，在涂布光刻胶后、照射紫外线之前，以较该紫外线的照射时更高的温度对该蓝宝石基板进行加热；后烘烤步骤，在照射紫外线后，以较预烘烤步骤更高的温度对该蓝宝石基板进行加热；以及蚀刻步骤，在该后烘烤步骤后，以该光刻胶图案为掩模进行干式蚀刻，藉此在该蓝宝石基板上形成多个侧壁相对于该蓝宝石基板表面的角度为90°以下的凸部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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