[发明专利]光电半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180043440.X | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103081147A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | M.皮希尔迈尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H05K1/02;H05K1/03;H05K1/05;F21K99/00;H01L25/075;H01L33/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁永凡;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 设置一种光电半导体器件（10），其具有支承体（2）和半导体芯片（1）。半导体芯片（1）具有用于产生电磁辐射的有源层。支承体（2）在用于电接触半导体芯片（1）的上侧上具有电印制导线（6）。半导体芯片（1）固定在支承体（2）上。支承体（2）包含Si3N4或钼。此外，提出了一种用于制造这种器件（10）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电半导体器件（10），其具有支承体（2）和至少一个半导体芯片（1），其中‑ 半导体芯片（1）具有用于产生电磁辐射的有源层，‑ 支承体（2）在用于电接触半导体芯片（1）的上侧上具有电印制导线（6），‑ 支承体（2）包含Si3N4或钼，以及‑ 半导体芯片（1）固定在支承体（2）上。
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