[发明专利]使用与半导体施主分离的层来制造光电装置的方法和由该方法制成的装置有效
申请号: | 201180043744.6 | 申请日: | 2011-03-21 |
公开(公告)号: | CN103262210B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 阿杰库玛·R·贾殷 | 申请(专利权)人: | 维尔雷思科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L33/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 刘成春,王莹 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 制造含有功能元件的光电装置的方法,所述功能元件是由从天然和/或制得的层状半导体施主脱离的层制成的。在一个实施例中,提供施主,使一层与施主分离且将该层作为其功能元件并入光电装置中。根据需要调整分离层的厚度,以使其适合所述功能元件的功能性。可以使用分离层制成的功能元件的实例包括p‑n结、肖特基结、PIN结、约束层及其他。可以供所述分离层并入的光电装置的实例包括LED、激光二极管、MOSFET晶体管、MISFET晶体管及其他。 | ||
搜索关键词: | 使用 半导体 施主 分离 制造 光电 装置 方法 制成 | ||
【主权项】:
一种制造光电装置的方法,包括:提供具有可分离层的半导体施主;使所述可分离层从所述施主脱离;以及将所述可分离层作为光电装置的电气功能元件并入所述光电装置中,其中,所述提供半导体施主包括:提供固有层状材料,所述固有层状材料具有通过范德华力结合在一起的片层;并且所述脱离包括:使所述片层的至少一个从所述半导体施主脱离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造