[发明专利]用于电压保护的结型场效晶体管

摘要

本发明公开了设备和方法，如涉及用于电压保护的结型场效晶体管的那些设备和方法。一种此类设备包括保护电路，所述保护电路包括输入端、输出端和JFET(300/600)。所述JFET具有电耦接至所述输入端的源极(340/640)和电耦接至所述输出端的漏极(360/660)，其中所述JFET具有量值大于2V的夹断电压(Vp)。所述设备进一步包括内部电路，所述内部电路具有被配置成接收来自所述保护电路的所述输出端的信号的输入端。所述保护电路对所述内部电路提供保护以防过压和/或欠压状况，同时与具有量值小于2V的Vp的JFET相比具有减小的尺寸。

主权项

一种单片集成电路结型场效晶体管(JFET)(300/600)，其包括：源极(340/640)；漏极(360/660)；插入所述源极与所述漏极之间的顶部栅极(350/650)；在所述源极、所述漏极和所述顶部栅极下方的底部栅极(310/610)；以及在水平方向上界定在所述源极与所述漏极之间并在垂直方向上界定在所述顶部栅极与所述底部栅极之间的沟道(335/635)，其中所述沟道具有在所述源极与所述漏极之间延伸的长度(L)和垂直于所述长度水平延伸的宽度(W)，所述宽度与面向所述沟道的所述源极或漏极的边缘的水平长度相同，其中所述JFET具有量值大于2V的夹断电压(Vp)，其中W、L、Vp和RDSON之间的关系满足RDSON＝(L/W)/(2×B’×Vp)，其中RDSON为所述JFET的漏极‑源极导通电阻，并且其中B’为所述JFET的跨导参数。