[发明专利]半导体陶瓷元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180043926.3 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103098149A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 三浦忠将 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体陶瓷元件，包括元件主体，该元件主体的由具有PTC特性的半导体陶瓷组成的PTC部分、和由具有NTC特性的半导体陶瓷组成的NTC部分对相互的扩散进行抑制，并且该元件主体通过对PTC部分及NTC部分进行一体烧成并一体化后形成。首先在规定的温度下对应当成为PTC部分的半导体陶瓷材料进行烧成，由此得到PTC基板（2），之后将含有应当成为NTC部分的半导体陶瓷材料在内的糊料涂布或印刷到上述PTC基板（2）上，接着，在低于上述规定温度的温度下进行一体烧成，由此得到半导体陶瓷元件（1）所用的元件主体（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷元件，包括：元件主体，该元件主体包括由具有PTC特性的半导体陶瓷组成的PTC部分、以及由具有NTC特性的半导体陶瓷组成的NTC部分，所述PTC部分与所述NTC部分通过相互直接接触的接合界面而一体化；第一电极，该第一电极以和所述PTC部分相接触的方式设置在所述元件主体的外表面上；以及第二电极，该第二电极以和所述NTC部分相接触的方式设置在所述元件主体的外表面上，该半导体陶瓷元件具有PTC特性与NTC特性的复合电特性。
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