[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一目的在于制造包括氧化物半导体膜的半导体装置，其具有稳定电气特性及高可靠性。以如下方法形成结晶氧化物半导体膜而不用进行多个步骤：通过利用包括在氧化物半导体靶材中的多种原子的原子量的差异，在氧化物绝缘膜上优先淀积具有低原子量的锌以形成包含锌的种晶；并且在进行晶体生长的同时淀积具有高原子量的锡、铟等。此外，通过使用包含锌的具有六角形晶体结构的种晶作为核来进行晶体生长以形成结晶氧化物半导体膜，从而形成单晶氧化物半导体膜或实质上单晶氧化物半导体膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成氧化物绝缘膜；在所述氧化物绝缘膜上通过溅射方法形成具有包含锌的六角形晶体结构的种晶；使用所述种晶作为核来进行晶体生长以形成具有六角形晶体结构的结晶氧化物半导体膜；对所述结晶氧化物半导体膜进行热处理；在所述热处理之后蚀刻所述结晶氧化物半导体膜；在所述蚀刻步骤之后在所述结晶氧化物半导体膜上形成一对电极；在所述结晶氧化物半导体膜及所述一对电极上形成栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。