[发明专利]对光刻系统中的闪烁效应的校正有效
| 申请号： | 201180044004.4 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103097958A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘华玉;刘伟;李江伟;陈洛祁;江泂 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于减小由用于将设计布局成像到衬底上的光刻设备产生的闪烁效应的方法。通过将曝光场处的设计布局的密度分布图与点扩散函数(PSF)进行数学组合来模拟光刻系统的曝光场中的闪烁分布图，其中闪烁分布图上的系统特定的效应可以被包含到所述模拟中。通过使用所确定的闪烁分布图计算设计布局的依赖于位置的闪烁校正，由此减小所述闪烁效应。在所述模拟中所包含的所述系统特定的效应中的一些是：由于来自掩模的黑边界的反射造成的闪烁效应、由于来自限定曝光狭缝的一个或更多个掩模版遮蔽刀片的反射造成的闪烁效应、由于过扫描造成的闪烁效应、由于来自动态气锁(DGL)机制的气锁子孔径的反射造成的闪烁效应和由于来自相邻曝光场的贡献造成的闪烁效应。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 系统 中的 闪烁 效应 校正 | ||
【主权项】：
一种用于减小由用于将设计布局成像到衬底上的光刻系统产生的闪烁效应的方法，所述方法包括步骤：通过将曝光场处的设计布局的密度分布图与点扩散函数(PSF)进行数学组合来模拟光刻系统的曝光场中的闪烁分布图，其中闪烁分布图上的系统特定的效应被包含到所述模拟中；和通过使用所确定的闪烁分布图来计算设计布局的依赖于位置的闪烁校正，由此减小所述闪烁效应。
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