[发明专利]多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子、以及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180044169.1 申请日: 2011-09-16
公开(公告)号: CN103118976A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 吉田浩一;三好一富;久留须一彦;谷俊夫;幡谷耕二;西村健;加藤秀;和田武 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: C01B33/02 分类号: C01B33/02;H01M4/38
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 刘宗杰;巩克栋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于,得到适于实现高容量和良好的循环特性的锂离子电池用负极材料等的多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子。本发明提供一种多孔质硅粒子,其是将多个硅微粒接合而成的多孔质硅粒子,且所述多孔质硅粒子的平均粒径为0.1μm~1000μm,所述多孔质硅粒子具备具有连续的孔隙的三维网眼结构,所述多孔质硅粒子的平均孔隙率为15~93%,粒子整体具有均匀的细孔结构。另外,还提供一种多孔质硅复合体粒子,其是将多个硅微粒与多个硅化合物粒子接合而成的多孔质硅复合体粒子,其特征在于,所述硅化合物粒子含有硅与复合体元素的化合物,所述多孔质硅复合体粒子的平均粒径为0.1μm~1000μm,多孔质硅复合体粒子具有由连续的孔隙构成的三维网眼结构。
搜索关键词: 多孔 粒子 复合体 以及 它们 制造 方法
【主权项】:
一种多孔质硅粒子,其特征在于,其是将多个硅微粒接合而成的多孔质硅粒子,所述多孔质硅粒子的平均粒径为0.1μm~1000μm,所述多孔质硅粒子具备具有连续的孔隙的三维网眼结构,所述多孔质硅粒子的平均孔隙率为15~93%,并且半径方向上50%以上的表面附近区域的孔隙率Xs与半径方向上50%以内的粒子内部区域的孔隙率Xi之比Xs/Xi为0.5~1.5,以将氧除外的元素的比率计含有80原子%以上的硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社,未经古河电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180044169.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top