[发明专利]多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子、以及它们的制造方法有效
申请号: | 201180044169.1 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN103118976A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 吉田浩一;三好一富;久留须一彦;谷俊夫;幡谷耕二;西村健;加藤秀;和田武 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02;H01M4/38 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 刘宗杰;巩克栋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于,得到适于实现高容量和良好的循环特性的锂离子电池用负极材料等的多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子。本发明提供一种多孔质硅粒子,其是将多个硅微粒接合而成的多孔质硅粒子,且所述多孔质硅粒子的平均粒径为0.1μm~1000μm,所述多孔质硅粒子具备具有连续的孔隙的三维网眼结构,所述多孔质硅粒子的平均孔隙率为15~93%,粒子整体具有均匀的细孔结构。另外,还提供一种多孔质硅复合体粒子,其是将多个硅微粒与多个硅化合物粒子接合而成的多孔质硅复合体粒子,其特征在于,所述硅化合物粒子含有硅与复合体元素的化合物,所述多孔质硅复合体粒子的平均粒径为0.1μm~1000μm,多孔质硅复合体粒子具有由连续的孔隙构成的三维网眼结构。 | ||
搜索关键词: | 多孔 粒子 复合体 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种多孔质硅粒子,其特征在于,其是将多个硅微粒接合而成的多孔质硅粒子,所述多孔质硅粒子的平均粒径为0.1μm~1000μm,所述多孔质硅粒子具备具有连续的孔隙的三维网眼结构,所述多孔质硅粒子的平均孔隙率为15~93%,并且半径方向上50%以上的表面附近区域的孔隙率Xs与半径方向上50%以内的粒子内部区域的孔隙率Xi之比Xs/Xi为0.5~1.5,以将氧除外的元素的比率计含有80原子%以上的硅。
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