[发明专利]具有加强硅穿孔的半导体芯片有效
| 申请号： | 201180044970.6 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103109368A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·Z·苏;贾迈尔·里法伊-艾哈迈德;布莱恩·布莱克 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司;ATI科技无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/60;H01L25/065;H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造方法包括将第一硅穿孔（100f）的第一末端（131）连接到紧邻第一半导体芯片（15）的第一侧的第一芯片密封件（125）。将所述第一硅穿孔的第二末端（133）连接到紧邻所述第一半导体芯片第一侧对面的第二侧的第二芯片密封件（115）。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加强 穿孔 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种制造方法，包括：将第一硅穿孔（100f）的第一末端（131）连接到紧邻第一半导体芯片（15）的第一侧的第一芯片密封件（125）；和将所述第一硅穿孔的第二末端（133）连接到紧邻所述第一半导体芯片所述第一侧对面的第二侧的第二芯片密封件（115）。
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