[发明专利]存储器单元结构和方法有效
| 申请号： | 201180045020.5 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103119718A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本文中描述存储器单元结构和方法。一个或一个以上存储器单元包括：晶体管，其具有电荷存储节点；电介质材料，其定位于所述晶体管的所述电荷存储节点与沟道区之间，所述沟道区定位于源极区与漏极区之间；以及二极管的第一电极，其耦合到所述电荷存储节点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其包含：晶体管，其包括电荷存储节点；电介质材料，其定位于所述晶体管的所述电荷存储节点与沟道区之间，所述沟道区定位于源极区与漏极区之间；以及二极管的第一电极，所述第一电极耦合到所述电荷存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
