[发明专利]基于第III族氮化物的绿光激光二极管及其波导结构有效
| 申请号： | 201180045031.3 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103119809A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | R·巴特;D·兹佐夫;C-E·扎 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 基于第III族氮化物的激光二极管包含由n-掺杂的(Al,In)GaN形成的n-侧包覆层、由n-掺杂的(Al)InGaN形成的n-侧波导层、有源区、由p-掺杂的(Al)InGaN形成的p-侧波导层以及由p-掺杂的(Al,In)GaN形成的p-侧包覆层。通过操作n-侧波导层的铟浓度和厚度，使光模块移离p-型层中的高受体浓度。调节p-侧包覆层和p-侧波导层中的掺杂剂和组成分布，以降低光损耗并增加电光转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 氮化物 激光二极管 及其 波导 结构 | ||
【主权项】：
一种基于第III族氮化物的激光二极管，它包含由n‑掺杂的(Al,In)GaN形成的n‑侧包覆层、由n‑掺杂的(Al)InGaN形成的n‑侧波导层、有源区、由p‑掺杂的(Al)InGaN形成的p‑侧波导层、以及由p‑掺杂的(Al,In)GaN形成的p‑侧包覆层，其中：所述有源区介于n‑侧包覆层与p‑侧包覆层之间，并基本上平行于所述n‑侧包覆层和p‑侧包覆层延伸；所述有源区包含一个或多个InGaN量子阱，所述InGaN量子阱产生电泵送受激发射的光子，在510‑580nm的激光波长处产生光增益；所述n‑侧波导层介于有源区与n‑侧包覆层之间；所述n‑侧波导层的n‑侧波导层厚度为1‑300nm；所述p‑侧波导层介于有源区与p‑侧包覆层之间；所述p‑侧波导层的p‑侧波导层受体浓度小于3×1017cm‑3，并且所述p‑侧波导层的厚度小于100nm；所述p‑侧波导层的厚度小于n‑侧波导层的厚度；所述p‑侧包覆层包含第一厚度部分和第二厚度部分，所述第一厚度部分介于第二厚度部分与p‑侧波导层之间；所述p‑侧包覆层的第一厚度部分的第一部分厚度为20‑200nm，并且第一部分受体浓度小于3×1017cm‑3；以及所述p‑侧包覆层的第二厚度部分的第二部分受体浓度大于3×1017cm‑3。
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