[发明专利]相变存储器结构及方法有效
| 申请号： | 201180045055.9 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103119708A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中描述与相变存储器结构相关联的方法、装置及系统。一种形成相变存储器结构的方法包含：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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