[发明专利]超高选择性的掺杂非晶碳可剥除硬掩模的开发与集成

摘要

本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产生含碳氢化合物气体混合物的等离子体；使含硼气体混合物流动到处理空间内；及在等离子体的存在下，在基板上沉积含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至约60的硼。

主权项

一种在处理腔室中处理基板的方法，所述方法包含：在RF功率的存在下，使基板暴露于含碳氢化合物气体的流动，以在所述基板上沉积不含硼的非晶碳膜；关闭所述RF功率，同时使所述含碳氢化合物气体持续流动；及在RF功率的存在下，使所述基板暴露于含硼气体的流动与所述含碳氢化合物气体的流动，以在所述不含硼的非晶碳膜上沉积含硼非晶碳膜，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至60的硼。