[发明专利]薄膜制造方法和薄膜制造装置有效
| 申请号： | 201180045070.3 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN103119697A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 增田健;出野琢也;梶沼雅彦;小田岛畅洋;内田阳平;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/52;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了提供一种能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜的薄膜制造方法及薄膜制造装置，向腔室51内输送虚拟基板S2，并向虚拟基板S2供给虚拟处理用气体，向腔室51内输送产品基板S3，并向产品基板S3供给与虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。作为虚拟处理用气体不使用原料气体，因此能够抑制各金属原料的消耗量，并能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜制造方法，包括：向腔室内输送虚拟基板，并向所述虚拟基板供给虚拟处理用气体，向所述腔室内输送产品基板，并向所述产品基板供给与所述虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
