[发明专利]调整半导体器件中的阈值电压的方法

摘要

本文提供在基板上形成器件的方法。在某些实施例中，在基板上形成器件的方法可包括下列步骤：提供基板，基板具有部分制造的第一器件设置于基板上，第一器件包括第一膜堆叠，第一膜堆叠包含第一介电层及设置于第一介电层顶上的第一高介电常数介电层；于第一膜堆叠顶上沉积第一金属层；以及修饰第一金属层的第一上表面，以调整第一器件的第一阈值电压，其中第一上表面的修饰不延伸穿过至第一金属层的第一下表面。

主权项

一种在基板上形成器件的方法，包含下列步骤：提供基板，所述基板具有部分制造的第一器件设置于所述基板上，所述第一器件包括第一膜堆叠，所述第一膜堆叠包含第一介电层及设置于所述第一介电层顶上的第一高介电常数介电层；在所述第一膜堆叠顶上沉积第一金属层；以及修饰所述第一金属层的第一上表面，以调整所述第一器件的第一阈值电压，其中所述第一上表面的修饰不延伸穿过至所述第一金属层的第一下表面。