[发明专利]多面体结构聚硅氧烷改性体、多面体结构聚硅氧烷系组合物、固化物及光半导体器件有效
| 申请号： | 201180045637.7 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103119048A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 田中裕之;真锅贵雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;C08G77/44;C08G77/50;C08L83/05;C08L83/07;C08L83/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吴倩;张楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种多面体结构聚硅氧烷系组合物，其具有高耐热性、耐光性，阻气性及耐冷热冲击性优异，并且将光半导体元件进行密封时的处理性良好，本发明的多面体结构聚硅氧烷系组合物的特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物（a）与具有氢硅烷基的化合物（b）进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物（a'）的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多面体 结构 聚硅氧烷 改性 聚硅氧烷系 组合 固化 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物（a）与具有氢硅烷基的化合物（b）进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物（a′）的结构。
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