[发明专利]一种制造发光器件的方法无效
| 申请号： | 201180046263.0 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103119732A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | T.王 | 申请（专利权）人： | 塞伦光子学有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08;H01L21/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 英国布*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种制造发光器件的方法包括：提供包括III-氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；干蚀刻晶片以至少部分地穿过发光层从而留下发光层的暴露表面；以及用等离子体处理发光层的暴露表面。该处理可以是使用热硝酸或氢等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光器件的方法，包括：提供包括III‑氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；干蚀刻所述晶片以至少部分地穿过所述发光层从而留下所述发光层的暴露表面；以及在至少100℃的温度，用硝酸处理所述发光层的所述暴露表面。
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