[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201180046381.1 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103125028A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟;出口将士;守山实希 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
[问题]为了在制造在绝缘膜上具有反射膜的第III族氮化物半导体发光器件的过程中提高反射膜的耐热性。[解决方案]制造出样品(A)和样品(B)，样品(A)具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO2形成的第一绝缘膜(2)和反射膜(3)，样品B具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO2形成的第一绝缘膜(2)、反射膜(3)和由SiO2形成的第二绝缘膜(4)，针对样品(A，B)中的每个样品，在热处理之前和在热处理之后，测量反射膜(3)在450nm的波长下的反射率。在600℃下实施三分钟的热处理。如图所示，使用具有 |
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| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有与第一绝缘体接触并且在所述第一绝缘体上的反射膜，其中所述反射膜具有通过形成Ag的第一层并且在所述第一层上形成具有![]()
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厚度的Al的第二层作为最上层而形成的至少两层结构；以及其中在形成所述反射膜之后，在300℃至700℃的温度下进行热处理。
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