[发明专利]用于在穿孔中选择性沉积钨的系统和方法有效
| 申请号： | 201180046456.6 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103125013A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 高举文;拉杰库马尔·亚卡拉朱;迈克尔·达内克;雷威 | 申请（专利权）人： | 诺发系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于处理基板的方法，其包括：提供基板，该基板包括金属层、设置在金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；在第一沉积周期内，使用化学气相沉积法（CVD）沉积金属，其中第一沉积周期比金属沉积在金属层所需要的第一核化周期要长；在第二核化延迟周期前，停止第一沉积周期，其中第二核化周期为金属沉积在介电层上所必须的；执行沉积以及停止步骤N次，其中N为大于或等于1的整数；在执行步骤后，在比第二核化延迟周期长的第二沉积周期内，使用CVD沉积该金属。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 穿孔 选择性 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板的方法，其包括：提供基板，该基板包括金属层、设置在该金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；在第一沉积周期内，使用化学气相沉积（CVD）沉积金属，其中该第一沉积周期要长于该金属沉积于该金属层之上所必须的第一核化周期；在第二核化延迟周期前，停止该第一沉积周期，其中该第二核化周期为该金属沉积于该介电层之上所必须的；执行该沉积步骤与该停止步骤N次，其中N是大于或等于1的整数；以及在该执行步骤之后，在长于该第二核化延迟周期的第二沉积周期内，使用CVD来沉积该金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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