[发明专利]多晶硅制造装置以及多晶硅制造方法无效

专利信息
申请号: 201180046821.3 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103153856A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 大久保秀一;山口雅嗣 申请(专利权)人: 捷恩智株式会社;JX日鉱日石金属株式会社;东邦钛株式会社
主分类号: C01B33/033 分类号: C01B33/033
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本东京千代*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: [课题]一种多晶硅的制造装置以及制造方法,将锌还原法中的反应器的休止时间抑制为最小限度,藉此可使多晶硅的生产效率提高,从而可比较廉价且大量地制造多晶硅,上述锌还原法是以固体状态来将产生的硅回收。[解决手段]通过锌来对四氯化硅进行还原而制造多晶硅的硅制造装置的特征在于:纵型反应器1包括可上下地分离的反应器上侧本体2与反应器下侧本体3,反应器下侧本体3可沿着上下左右方向移动。
搜索关键词: 多晶 制造 装置 以及 方法
【主权项】:
一种多晶硅制造装置,通过锌来对四氯化硅进行还原而制造多晶硅,其特征在于包括:反应器,所述反应器包含可上下地分离的反应器上侧本体与反应器下侧本体,锌气体供给配管与四氯化硅气体供给配管连接于所述反应器上侧本体的上部,在所述反应器上侧本体的下部或所述反应器下侧本体的上部设置有废气的排出口,所述废气包含反应所产生的氯化锌,所述反应器下侧本体设置为可沿着上下左右方向移动。
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