[发明专利]在非易失性存储器（NVM）单元中减轻单元间耦合效应在审
| 申请号： | 201180047226.1 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103140894A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 伊扎克·比克;阿米特·伯曼 | 申请（专利权）人： | 技术研究及发展基金公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 苗源;王漪 |
| 地址： | 以色*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种操作包括多个非易失性存储器（NVM）单元的NVM阵列的系统、计算机可读介质和方法，该方法包括：接收有待写入到该非易失性存储器的输入数据；在该输入数据上执行约束译码以便提供已编码数据；其中该约束译码防止该已编码数据包括多个禁止值组合；其中基于从在多个NVM单元之间的耦合导致的多个预期单元间耦合感应错误来定义这些禁止值组合；以及将该已编码数据写入到该非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 nvm 单元 减轻 耦合 效应 | ||
【主权项】：
一种操作包括多个非易失性存储器（NVM）单元的NVM阵列的方法，该方法包括：接收有待写入到该非易失性存储器的输入数据；在该输入数据上执行约束译码以便提供已编码数据；其中该约束译码防止该已编码数据包括禁止值组合；其中基于从在多个NVM单元之间的耦合导致的多个预期单元间耦合感应错误来定义这些禁止值组合；以及将该已编码数据写入到该非易失性存储器。
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