[发明专利]R-T-B类烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201180047320.7 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103140902A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 小幡彻 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/24;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不使R-T-B类烧结磁体和保持部件熔接、增加每一次的处理量的高效的RH供给、扩散处理的制造方法。R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：将RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体隔着具有开口部的保持部件交替地叠层，构成叠层体的工序；和在处理容器内配置上述叠层体，使上述处理容器内为0.1Pa以上50Pa以下、800℃以上950℃以下的气氛，进行RH供给扩散处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：将RH扩散源和R‑T‑B类烧结磁石体隔着具有开口部的保持部件交替地叠层，构成叠层体的工序，其中，所述RH扩散源为含有80原子%以上的重稀土类元素RH的金属或合金，所述重稀土类元素RH为Dy和Tb中的至少一种，所述R‑T‑B类烧结磁石体中，R为稀土类元素中的至少一种，T为过渡金属元素中的至少一种，必须含有Fe；和在处理容器内配置所述叠层体，使所述处理容器内为0.1Pa以上50Pa以下、800℃以上950℃以下的气氛，进行RH供给扩散处理的工序。
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