[发明专利]化学机械平坦化垫片切槽的方法有效
| 申请号： | 201180047328.3 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103210473A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 保罗·莱弗瑞;奥斯卡·K·苏;大卫·亚当·韦尔斯;约翰·艾瑞克·埃尔德伯格;马克·C·津;吴光伟;阿努波·马修 | 申请（专利权）人： | 因诺派德公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成化学机械抛光垫片的方法。所述方法包括将一个或多个聚合物前体聚合并形成包括表面的化学机械平坦化垫片，在表面内形成槽，在槽之间限定平台，其中槽具有第一宽度，以及将平台从在表面上的第一平台长度(L1)收缩至在表面上的第二平台长度(L2)，其中第二平台长度(L2)小于第一平台长度(L1)并且槽具有第二宽度(W2)，其中(W1)≤(X)(W2)，其中(X)在0.01至0.75的数值范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 平坦 垫片 方法 | ||
【主权项】：
形成化学机械平坦化垫片的方法，所述方法包括：将一种或多种聚合物前体聚合并形成包括表面的化学机械平坦化垫片；在所述表面内形成槽，在所述槽之间限定平台，其中所述槽具有第一宽度(W1)；以及将所述平台从在所述表面上的第一平台长度(L1)收缩至在所述表面上的第二平台长度(L2)，其中所述第二平台长度(L2)小于所述第一平台长度(L1)并且所述槽具有第二宽度(W2)，其中(W1)≤(X)(W2)，其中(X)在0.01至0.75的数值范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因诺派德公司，未经因诺派德公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180047328.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置和线路板的制造方法
- 下一篇：改进的染料敏化太阳能电池及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
