[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及其形成方法有效
| 申请号： | 201180047417.8 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103180979A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡曜骏;许镇鹏;林国丰;刘训志;陈继峰;胡鸿烈;孙健仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一发光二极管芯片、一发光二极管封装结构与上述的形成方法系被提供。所述发光二极管芯片包含一结合层，其具有多个空隙、或发光二极管芯片的外围边界与所述结合层的最小水平距离系大于零。所述发光二极管芯片、所述发光二极管封装结构与所述其形成方法可改善产率及加强发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一发光二极管芯片，包含：一生长基板具有一第一外围边界；以及一堆叠结构沉积于所述生长基板之上，其中所述堆叠结构包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层依序形成于所述生长基板上，且所述堆叠结构进一步具有一第二外围边界，其中所述发光二极管芯片通过一连结层配置于所述第二半导体层的上表面，及所述连结层与所述第二半导体层的上表面之间的面积比例介于20%～99%，位于该连结层与该第二半导体层间的一接口占该第二半导体层的上表面面积的20‑99%，及所述第一外围边界与所述第二外围边界之间的一最小水平距离大于3μm以避免当由所述生长基板上移除所述堆叠结构时发生破裂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180047417.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锂离子二次电池用正极活性物质、正极、电极及制造方法
- 下一篇：停车计时器
