[发明专利]微光刻成像光学系统有效
申请号: | 201180047784.8 | 申请日: | 2011-09-22 |
公开(公告)号: | CN103140803A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | O.罗家尔斯基;S.施耐德;B.比特纳;J.库格勒;B.格尔里奇;R.弗雷曼 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B27/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 用于微光刻的成像光学系统(10),具体是投射物镜,包含:光学元件(M1-M6),该光学元件构造为在成像光束路径中引导具有波长λ的电磁辐射(19),用于将物场(13)成像到像平面(14)中;以及光瞳(24),其具有坐标(p,q),与光学系统(10)的具有坐标(x,y)的像场(16)一起构成具有坐标(x,y,p,q)的扩展的4维光瞳空间,将通过光学系统的辐射(19)的波前W(x,y,p,q)限定为该扩展的4维光瞳空间的函数。光学元件(M1-M6)的至少第一个具有非旋转对称表面(26),该非旋转对称表面相对于每个旋转对称表面(28)具有相应表面偏差,该二维表面在其最高峰与其最低谷之间具有至少λ的差异。非旋转对称表面的子孔径比在物场(13)的每一点(O1,O2)处与光学元件的位于成像光束路径中的每一个其它表面在物场(13)的相应点(O1,O2)处的子孔径比偏差至少0.01。此外,第一光学元件(M4)的表面(26)构造为通过相对于其它光学元件位移第一光学元件而造成光学系统(10)的波前变化,其具有至少两重对称的部分,波前变化的最大值在扩展的4维光瞳空间中至少为波长λ的1x10-5。 | ||
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【主权项】:
一种用于微光刻的成像光学系统,具体是投射物镜,包含:光学元件,构造为在成像光束路径中引导具有波长λ的电磁辐射,用于将物场成像到像平面中;以及光瞳,具有坐标(p,q),该光瞳与所述光学系统的具有坐标(x,y)的像场一起构成具有坐标(x,y,p,q)的扩展的4维光瞳空间,将通过所述光学系统的辐射的波前W(x,y,p,q)限定为该扩展的4维光瞳空间的函数,其中:‑所述光学元件的至少第一光学元件具有非旋转对称表面,该非旋转对称表面相对于每个旋转对称表面具有相应二维表面偏差,该二维表面偏差在其最高峰与其最低谷之间具有至少λ的差异;‑所述非旋转对称表面的子孔径比在所述物场的每一点处与所述光学元件的位于所述成像光束路径中的每一个其它表面在所述物场的相应点处的子孔径比偏差至少0.01;‑所述第一光学元件的表面构造为通过相对于其它光学元件位移所述第一光学元件能够导致所述光学系统的波前变化,该波前变化具有至少两重对称的部分,在所述扩展的4维光瞳空间中,所述波前变化的最大值至少为所述波长λ的1x10‑5。
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