[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201180048562.8 | 申请日: | 2011-10-05 |
公开(公告)号: | CN103155187A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 安杰拉·埃贝哈特;罗兰·许廷格;赖因霍尔德·施密特;斯特凡·克特 | 申请(专利权)人: | 欧司朗股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种光电子半导体器件应用施加在转换元件上的发光材料。转换元件具有由陶瓷制成的、施加有玻璃基体的基底。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
光电子半导体器件,所述光电子半导体器件具有光源、壳体和电端子,其中所述光源具有芯片,所述芯片发射UV或蓝色的初级辐射,所述初级辐射的波长峰值尤其位于300nm至490nm的范围中,其中所述初级辐射部分地或完全地通过之前安装的转换元件而转换成其他波长的辐射,其特征在于,所述转换元件具有半透明的或透明的基底,所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成,其中所述基底施加有玻璃基体,在所述玻璃基体中嵌入有发光材料。
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