[发明专利]Ag-Au-Pd三元合金接合线有效
| 申请号： | 201180049000.5 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103155130A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 千叶淳;手岛聪;小林佑;安德优希 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提高用于在高温和高湿度环境中使用的半导体的接合线键合至铝焊点的可靠性。解决方式是一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由4-10质量％的具有99.999质量％以上的纯度的金，2-5质量％的具有99.99质量％以上的纯度的钯和剩余质量％的具有99.999质量％以上的纯度的银制成。这种用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属元素，并且在通过模具连续拉伸之前经过热退火，且在通过模具连续拉伸之后经过热回火，并且这种接合线在氮氛中进行球焊。在铝焊点与线之间的界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀由Au2Al和富Pb层抑制。 | ||
| 搜索关键词： | ag au pd 三元 合金 接合 | ||
【主权项】：
一种用于半导体装置的Ag‑Au‑Pd三元合金接合线，所述接合线由具有99.99质量％以上的纯度的银(Ag)、具有99.999质量％以上的纯度的金(Au)和具有99.99质量％以上的纯度的钯(Pd)制成，所述线由4‑10质量％的所述金(Au)、2‑5质量％的所述钯(Pd)、15‑70质量ppm的氧化性非贵金属元素和余量％的所述银(Ag)组成，并且所述线在通过模具连续拉伸之前被热退火至少一次，并且所述线在通过所述模具连续拉伸之后被热回火，并且所述线适用于在氮氛中球焊。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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