[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备在审
| 申请号： | 201180049185.X | 申请日： | 2011-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103155716A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | X·王;A·恩盖耶;C·李;X·何;M·沈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 降低 等离子体 蚀刻 中的 粒子 缺陷 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理腔室气体喷嘴，所述气体喷嘴包括：至少一个入口孔，所述至少一个入口孔具有第一直径，所述至少一个入口孔凹入至所述气体喷嘴的上游侧中，以及至少一个出口孔，所述至少一个出口孔具有小于所述第一直径的第二直径，所述至少一个出口孔凹入至所述气体喷嘴的下游侧中且实体接合至入口孔，其中所述第二直径为800μm或更小。
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