[发明专利]半导体接合结构体和半导体接合结构体的制造方法有效
| 申请号： | 201180049406.3 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103155127A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 中村太一;古泽彰男;酒谷茂昭;北浦秀敏;石丸幸宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K1/00;H05K3/34;B23K35/26;C22C13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体接合结构体，该半导体接合结构体是在基板电极上依次积层含有Sn的第一金属互化物层、由含有Sn的第三金属互化物部和含有Sn的相构成的第三层、以及含有Sn的第二金属互化物层，然后载置半导体元件的电极而形成的半导体接合结构体；所述第一金属互化物层和所述第二金属互化物层具有以所述第三金属互化物部进行层间接合的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
