[发明专利]使用太阳能电池产生电力的方法无效
申请号: | 201180049687.2 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN103155167A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 松下明生;伊藤彰宏;中川彻;石田秀俊 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供具有更高转换效率的太阳能电池。本发明是使用太阳能电池产生电力的方法,具有工序(a)和工序(b)。工序(a)准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的太阳能电池。太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极,Z方向是p型GaAs层的法线方向,X方向是与Z方向正交的方向。n型GaAs层、p型GaAs层和p型窗口层沿Z方向层叠,p型GaAs层被夹在n型GaAs层和p型窗口层之间。n型GaAs层被分割为中央部、第一周边部和第二周边部,中央部沿X方向被夹在第一周边部和第二周边部之间。第一周边部和第二周边部具有层的形状,满足规定的不等式(I)。工序(b)以满足规定的不等式(II)的方式,经由聚光透镜照射光,使n侧电极和p侧电极之间产生电位差。 | ||
搜索关键词: | 使用 太阳能电池 产生 电力 方法 | ||
【主权项】:
一种使用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于,包括:准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的所述太阳能电池的工序(a),所述太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极,Z方向是所述p型GaAs层的法线方向,X方向是与所述Z方向正交的方向,所述n型GaAs层、所述p型GaAs层和所述p型窗口层沿Z方向层叠,所述p型GaAs层沿所述Z方向被夹在所述n型GaAs层与所述p型窗口层之间,所述p侧电极与所述p型GaAs层电连接,所述n侧电极与所述n型GaAs层电连接,所述n型GaAs层被分割为中央部、第一周边部和第二周边部,所述中央部沿所述X方向被夹在所述第一周边部与所述第二周边部之间,所述第一周边部和所述第二周边部具有层的形状,满足以下的不等式的组(I):d2<d1,d3<d1,1纳米≤d2≤4纳米,1纳米≤d3≤4纳米,100纳米≤w2,和100纳米≤w3···(I)d1表示沿所述Z方向的所述中央部的厚度,d2表示沿所述Z方向的所述第一周边部的厚度,d3表示沿所述Z方向的所述第二周边部的厚度,w2表示沿所述X方向的所述第一周边部的宽度,w3表示沿所述X方向的所述第二周边部的宽度;和工序(b),以满足以下的不等式(II)的方式经由所述聚光透镜对所述p型窗口层的表面中包含的区域S照射光,使所述n侧电极与所述p侧电极之间产生电位差,w4≤w1···(II)w1表示沿所述X方向的所述中央部的宽度,w4表示在含有所述Z方向的截面视图中,所述区域S的沿所述X方向的宽度,当从所述Z方向看时,所述中央部与所述区域S重合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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