[发明专利]利用太阳能电池产生电力的方法无效

专利信息
申请号: 201180049688.7 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN103168368A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 松下明生;伊藤彰宏;中川彻;石田秀俊 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L31/0693 分类号: H01L31/0693;H01L31/0687;H01L31/052
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种利用太阳能电池产生电力的方法,具有下面的工序(a)和工序(b)。工序(a)准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此,太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极,Z方向为上述p型GaAs层的法线方向,X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部,n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组(I)。工序(b)以满足以下不等式(II)的方式经由聚光透镜,使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域(S),在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。
搜索关键词: 利用 太阳能电池 产生 电力 方法
【主权项】:
一种利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于,包括:工序(a),准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的所述太阳能电池,其中所述太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极,Z方向为所述p型GaAs层的法线方向,X方向为与所述Z方向正交的方向,所述n型GaAs层、所述p型GaAs层、所述隧道效应层、所述n型InGaP层、所述p型InGaP层和所述p型窗口层依次沿着Z方向层叠,所述p型窗口层由具有比InGaP大的能带隙的p型化合物半导体构成,所述n侧电极与所述n型GaAs层电连接,所述p侧电极与所述p型InGaP层电连接,所述n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部和第二GaAs周边部,所述GaAs中央部沿着所述X方向被夹在所述第一GaAs周边部与所述第二GaAs周边部之间,所述第一GaAs周边部和所述第二GaAs周边部具有层的形状,所述n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部和第二InGaP周边部,所述InGaP中央部沿着所述X方向被夹在所述第一InGaP周边部与所述第二InGaP周边部之间,所述第一InGaP周边部和所述第二InGaP周边部具有层的形状,并且满足如下的不等式组(I):d2
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