[发明专利]利用太阳能电池产生电力的方法无效
申请号: | 201180049688.7 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103168368A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 松下明生;伊藤彰宏;中川彻;石田秀俊 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0693 | 分类号: | H01L31/0693;H01L31/0687;H01L31/052 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种利用太阳能电池产生电力的方法,具有下面的工序(a)和工序(b)。工序(a)准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此,太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极,Z方向为上述p型GaAs层的法线方向,X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部,n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组(I)。工序(b)以满足以下不等式(II)的方式经由聚光透镜,使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域(S),在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。 | ||
搜索关键词: | 利用 太阳能电池 产生 电力 方法 | ||
【主权项】:
一种利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于,包括:工序(a),准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的所述太阳能电池,其中所述太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极,Z方向为所述p型GaAs层的法线方向,X方向为与所述Z方向正交的方向,所述n型GaAs层、所述p型GaAs层、所述隧道效应层、所述n型InGaP层、所述p型InGaP层和所述p型窗口层依次沿着Z方向层叠,所述p型窗口层由具有比InGaP大的能带隙的p型化合物半导体构成,所述n侧电极与所述n型GaAs层电连接,所述p侧电极与所述p型InGaP层电连接,所述n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部和第二GaAs周边部,所述GaAs中央部沿着所述X方向被夹在所述第一GaAs周边部与所述第二GaAs周边部之间,所述第一GaAs周边部和所述第二GaAs周边部具有层的形状,所述n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部和第二InGaP周边部,所述InGaP中央部沿着所述X方向被夹在所述第一InGaP周边部与所述第二InGaP周边部之间,所述第一InGaP周边部和所述第二InGaP周边部具有层的形状,并且满足如下的不等式组(I):d2
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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