[发明专利]半导体激光装置有效
申请号: | 201180049763.X | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN103155310A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 影山进人;宫岛博文;菅博文 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01L23/36;H01S5/024;H01S5/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 将半导体激光模块(2)安装于液体冷却式的热沉(1)。在与半导体激光模块(2)的安装面相反侧的面上,固定有钼加强体(3)。钼具有比热沉(1)小的线膨胀系数。次载具优选使用Cu-W合金,加强体(3)优选使用钼。这一情况下,伸缩时赋予热沉(1)的应力能够互相抵消。 | ||
搜索关键词: | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体激光装置,其特征在于,具备:半导体激光条,具有在直线上排列的多个发光点;板状的液体冷却式的热沉,在内部形成有流体通路,且厚度为3mm以下;第1次载具,固定于所述半导体激光条的一个面,由与所述热沉相比线膨胀系数小的材料构成,且固定于所述热沉;第2次载具,固定于所述半导体激光条的另一个面,由与所述热沉相比线膨胀系数小的材料构成;以及钼加强体,固定于所述热沉中的所述第1次载具的安装面的相反侧的面的、与所述第1次载具相对的位置上,具有比热沉小的线膨胀系数,且厚度为0.1~0.5mm。
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