[发明专利]用于射频或电力应用的电子器件和制造这种器件的工艺有效
| 申请号： | 201180050082.5 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103168342A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 迪迪埃·朗德吕;卢恰娜·卡佩罗;E·德斯邦内特斯;克里斯托夫·菲盖;奥列格·科农丘克 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于射频或电力应用的电子器件，该电子器件包括：位于支承基板上用于支承电子元件的半导体层，其中，所述支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层（13、14）具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。本发明还涉及用于制造这种器件的两种工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 电力 应用 电子器件 制造 这种 器件 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于射频或电力应用的电子器件，该电子器件包括位于支承基板（1）上用于支承电子元件的半导体层（2＇），该电子器件的特征在于，所述支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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