[发明专利]半导体结构及制造方法有效
| 申请号： | 201180050427.7 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103168363B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | B·A·安德森;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开一种鳍片FET端注入半导体结构及制造方法。所述方法包括在包括下伏绝缘体层（10b）的衬底（18’）的硅层上形成至少一个芯轴（图5中的14）。该方法进一步包括蚀刻硅层以在至少一个芯轴之下形成至少一个硅岛（18’）。该方法进一步包括对至少一个硅岛的侧壁执行离子注入以在侧壁上形成掺杂区（20）。该方法进一步包括在衬底上形成介电层，平坦化介电层的顶表面以便与至少一个芯轴（14）的顶表面共面。该方法进一步包括去除至少一个芯轴（14）以在介电层中形成开口。该方法进一步包括蚀刻至少一个硅岛以形成具有掺杂的源极和漏极区的至少一个鳍片岛。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，包括：在包括下伏绝缘体层的衬底的硅层上形成至少一个芯轴；蚀刻所述硅层以在所述至少一个芯轴之下形成至少一个硅岛；对所述至少一个硅岛的侧壁执行离子注入以在所述侧壁上形成掺杂区；在掺杂的侧壁区上生长外延材料；在所述衬底上形成介电层，平坦化所述介电层的顶表面以便与所述至少一个芯轴的顶表面共面；去除所述至少一个芯轴以在所述介电层中形成开口；以及蚀刻所述至少一个硅岛以形成具有掺杂的源极和漏极区的至少一个分立鳍片岛。
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