[发明专利]具有提高的缓冲击穿电压的HEMT

摘要

通过在p型Si衬底（210）中形成n阱（232,820），使其直接位于III‑N族HEMT（200,800,1300）的金属漏区（254,844）下，显著地提高p型Si衬底（210）上的III‑N族HEMT（200,800,1300）的缓冲击穿。所述的n阱（232,820）形成p‑n结，其在击穿期间变为反向偏置，从而将所述的缓冲击穿提高了所述p‑n结的反向偏置击穿电压并允许所述的衬底（210）接地。所述的III‑N族HEMT（800）的缓冲层（824）还可包括与所述的n阱（820）对准的n型区域（822），且所述的III‑N族HEMT（1300）的缓冲层（824）还进一步包括p型区域（1316），以使所述衬底（210）和所述缓冲层（824）之间的结处的任何泄露电流最小。

主权项

一种晶体管，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有顶面；位于所述衬底中的第二导电类型的阱，所述阱具有顶面；与所述衬底的顶面和所述阱的顶面接触的缓冲层，所述缓冲层具有顶面；与所述缓冲层的顶面接触的沟道层，所述沟道层包括III族氮化物且具有顶面；与所述沟道层的顶面接触的阻挡层，所述阻挡层包括III族氮化物；以及穿透所述阻挡层以与所述沟道层接触的间隔开的金属源区和金属漏区，所述金属漏区位于所述阱上方。