[发明专利]具有大靶的用于高压溅射的溅射源和溅射方法有效
| 申请号： | 201180050880.8 | 申请日： | 2011-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103168338A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | M.法利;U.波佩 | 申请（专利权）人： | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;卢江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在本发明的范围内，开发一种溅射头，其具有用于溅射靶的容纳面（靶容纳部）。该溅射头具有一个或多个磁场源以用于生成漏磁场。根据本发明，至少一个磁场源的北磁极和南磁极彼此相距10mm或更低、优选5mm更低、并且特别优选大致1mm，其中在所述磁场源之间形成漏磁场。已经认识到，恰好在0.5毫巴或更高的高溅射气体压力下进行溅射时，可以通过这样的局部有效的磁场来局部地匹配溅射等离子体的电离度以及因此溅射靶上的侵蚀速率。由此，所获得的层在衬底表面上的厚度变得更均匀。溅射头有利地附加地具有固体绝缘体，所述固体绝缘体包围具有靶容纳面的基体以及溅射靶（全部处于电势上）并且同在空间上将材料侵蚀限制到溅射靶上（限制到物料）的屏蔽体电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 高压 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射头，具有用于溅射靶的容纳部和用于生成漏磁场的一个或多个磁场源，所述漏磁场具有从所述溅射靶的表面发出并且再次进入所述表面的场力线，其特征在于，至少一个磁场源的北极和南极彼此相距10mm或更低、优选5mm或更低、并且特别优选大致1mm，其中在所述磁场源之间形成漏磁场。
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