[发明专利]改进的肖特基整流器有效
| 申请号： | 201180050938.9 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN103180961A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 许志维;弗洛林·乌德雷亚;林意茵 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张焕生;谢丽娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体整流器包括具有第一导电类型的半导体衬底。在衬底上形成的第一层具有第一导电类型，并且比衬底更轻度地被掺杂。具有第二导电类型的第二层形成在衬底上，并且金属层被布置在第二层上方。第二层被轻度掺杂使得在金属层和第二层之间形成肖特基接触。第一电极形成在金属层上方，并且第二电极形成在衬底的背侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 肖特基 整流器 | ||
【主权项】：
一种半导体整流器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；在所述衬底上形成的第一层，所述第一层具有所述第一导电类型，并且较之所述衬底更轻度地被掺杂；形成在所述衬底上的第二层，所述第二层具有第二导电类型；被布置在所述第二层上方的金属层，其中，所述第二层被轻度掺杂以使得在所述金属层和所述第二层之间形成肖特基接触；以及形成在所述金属层上方的第一电极和形成在所述衬底的背侧上的第二电极。
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