[发明专利]具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管有效
| 申请号： | 201180051163.7 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103180955B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | L·皮尔·德罗什蒙 | 申请（专利权）人： | L·皮尔·德罗什蒙 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体场效应晶体管提供了谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 谐振 晶体管 栅极 功率 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，包含谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极具有这种结构：包括与谐振栅极部分串联或并联连接的集成构造的无源组件，这引起谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于L·皮尔·德罗什蒙，未经L·皮尔·德罗什蒙许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180051163.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法
- 下一篇：数字报警温度显示装置
- 同类专利
- 专利分类
