[发明专利]半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180051281.8 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103180975A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡昇完;金台勋;李守烈;李进馥;金真焕;李承宰;金甫耕;李锺昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 芯片 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管芯片，包括：半导体发光二极管单元，其包括透光衬底以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；后反射叠层，其包括辅助光学层和金属反射膜，所述辅助光学层形成在所述透光衬底的下表面上并且由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射膜形成在所述辅助光学层的下表面上；以及接合叠层，其设置在所述后反射叠层的下表面上并且包括接合金属层和防扩散膜，所述接合金属层由共晶金属材料制成，所述防扩散膜被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射膜之间的元素扩散。
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