[发明专利]包括跳陷电路的MRI的RF天线装置无效

专利信息
申请号: 201180051305.X 申请日: 2011-10-25
公开(公告)号: CN103180748A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: O·利普斯 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01R33/36 分类号: G01R33/36
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英;刘炳胜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开了一种包括具有并接共振跳陷电路的去耦电路的RF天线或线圈,其用于在两个RF天线或线圈被邻近彼此布置使得在无去耦电路、两个RF天线或线圈之间的耦合必须被考虑的情况下对所述RF天线或线圈去耦,其中所述耦合可能导致所接收的和/或所发射的RF信号的信噪比的下降,或者可能导致其他有害效应。此外,公开了尤其用于MR(磁共振)成像系统或扫描器的RF发射/接收天线装置,其中,所述RF发射/接收天线装置包括RF发射天线优选仅提供用于发射RF信号,以及RF接收天线或线圈,其优选仅提供用于接收MR信号(即,“专用”RF天线或线圈),其中,为这些RF天线或线圈中的至少一个配备根据本发明的去耦电路。
搜索关键词: 包括 电路 mri rf 天线 装置
【主权项】:
一种包括共振导体结构的RF天线或线圈,用于在所述RF天线或线圈的操作期间在用于发射和/或接收RF信号的所述RF天线或线圈的共振频率处激励共振RF电流,其中,所述共振导体结构包括跳陷电路,所述跳陷电路被串接至所述共振导体结构的一个导体中并且包括由如下提供的第一导体环:‑   并接的第一导体(11)和第二导体(12),其中:‑   至少一个电抗元件(Rx)被串接至所述第二导体(12)中,或者至少两个电抗元件(Rx)的至少一个并接被串接至所述第二导体(12)中,以及‑   开关(D)被串接至所述第二导体(12)中并且被并接于所述电抗元件(Rx)中的至少一个电抗元件,用于在所述开关的导通状态中对所述至少一个电抗元件(Rx)进行短路,其中,选择所述至少一个电抗元件(Rx)的电感和/或电容,使得:‑   当所述开关被切换为其非导通状态时,所述跳陷电路能够在跳陷共振频率处共振,所述跳陷共振频率至少基本等于所述RF天线或线圈的所述共振频率,从而通过所述跳陷电路陷获在所述RF天线或线圈的所述共振频率处的所述共振RF电流,以及‑   当所述开关被切换为其导通状态时,所述跳陷共振频率不能够被激励,从而能够在所述共振导体结构中激励在所述RF天线或线圈的所述共振频率处的所述共振RF电流。
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