[发明专利]用于控制光刻胶线宽粗糙度的方法及设备无效
| 申请号： | 201180051503.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103180932A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | B·吴;A·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于控制及改型光刻胶层的线宽粗糙度（LWR）的方法和设备。在一个实施例中，一种用于控制配置于基板上的光刻胶层的线宽粗糙度的设备包括：腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区域的顶壁、侧壁和底壁；微波功率发生器，所述微波功率发生器通过波导件耦接至所述腔室主体；以及一个或多个线圈或磁体，所述线圈或磁体配置在所述腔室主体的外周边周围且邻接所述波导件；以及气体源，所述气体源通过气体递送通路耦接至所述波导件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 光刻 胶线宽 粗糙 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于控制配置于基板上的光刻胶层的线宽粗糙度的设备，包括：腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区域的顶壁、侧壁和底壁；微波功率发生器，所述微波功率发生器通过波导件耦接至所述腔室主体；以及一个或多个线圈或磁体，所述线圈或磁体配置在所述腔室主体的外周边周围且邻接所述波导件；以及气体源，所述气体源通过气体递送通路耦接至所述波导件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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