[发明专利]用包含氮和氢的等离子体在接合铜-氧化物混合的表面之前的处理有效
| 申请号： | 201180051602.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103189960A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | L.范德罗克斯;L.迪西奥西奥;P.格古恩 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/98;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种在设置有由氧化硅区（4）围绕的至少一个铜区（3）的第一表面（1）和第二表面（1’）之间接合的方法，包括在第一表面（1）与第二表面（V）形成接触前用等离子体处理第一表面（1）的操作。等离子体由气源产生，所述气源包含用于氧化硅的氮化剂和基于氢的用于氧化铜的还原剂。气源可包括N2/NH3和/或N2/H2气体混合物，亦或N2O/H2气体混合物，还或者是氨气，该氨气然后用作氮化剂和还原剂二者。于是，从该气源获得的等离子体必然包含氮和氢，由此能在单一操作中提供第一和第二表面（1、1’）之间的强接合。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 等离子体 接合 氧化物 混合 表面 之前 处理 | ||
【主权项】：
一种用于将设置有由氧化硅区域（4）围绕的至少一个铜区域（3）的第一表面（1）接合到第二表面（1’）的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供该第一和第二表面（1、1’），该第一和第二表面（1、1’）在它们设置成接触前具有互补的形状，使该第一表面（1）经历等离子体处理操作，所述等离子体由包含氧化硅氮化剂和包含氢的氧化铜还原剂的气源形成，将该第一和第二表面（1、1’）设置成接触以在该铜区域和该第二表面之间的界面、以及该氧化硅区域和该第二表面之间的界面实现该第一表面到该第二表面的直接接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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