[发明专利]延长漏极的MOS晶体管有效
| 申请号： | 201180052215.2 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103189989A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | M·丹尼森;P·L·豪威尔;S·P·彭哈卡 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路（1000）形成在包括延长漏极的MOS晶体管的SOI衬底上，所述延长漏极的MOS晶体管具有在通过p-n结（1016）耦合到操作晶圆的漏极区或本体区中的透过衬底的二极管（1024），即与漏极区或本体区电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 延长 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：绝缘体上硅SOI衬底，其包括：具有第一导电类型的半导体材料的操作晶圆；位于所述操作晶圆的顶部表面上的电介质材料的掩埋氧化物层；以及位于所述掩埋氧化物层的顶部表面上的半导体材料的SOI膜；以及延长漏极的金属氧化物半导体MOS晶体管，其包括：位于所述SOI膜中的区，所述区具有与所述操作晶圆相反的导电类型；以及位于所述区中的透过衬底的二极管，其包括：从所述SOI膜的顶部表面穿过所述掩埋氧化物层延伸到所述操作晶圆中的透过衬底的通孔；在所述透过衬底的通孔中的导电的通孔填充插件，所述通孔填充插件电接触与所述透过衬底的通孔相邻的SOI膜和所述操作晶圆；以及与所述透过衬底的通孔的边界相邻的p‑n结。
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