[发明专利]使用微透镜阵列的扫描曝光装置有效

专利信息
申请号: 201180052569.7 申请日: 2011-09-12
公开(公告)号: CN103189798A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 水村通伸;畑中诚 申请(专利权)人: 株式会社V技术
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 微透镜阵列(2)是4块单位微透镜阵列(2-1、2-2、2-3、2-4)的层叠体,可以使一部分的单位微透镜阵列的光轴从其他单位微透镜阵列的光轴偏移。在扫描曝光装置中,线阵CCD照相机检测基板上的图像,将基板上的第1层图案作为基准图案,在掩模的曝光图案与该基准图案不一致的情况下,使微透镜(2a)的光轴偏移,调整利用微透镜阵列导致的投影图案的倍率。由此,能够调整利用微透镜阵列导致的曝光位置,即使产生曝光图案与基准图案的偏离,也能在曝光中检测该偏离,并防止曝光图案的位置偏离,能够提高重叠曝光的曝光图案的精度。
搜索关键词: 使用 透镜 阵列 扫描 曝光 装置
【主权项】:
一种使用微透镜阵列的扫描曝光装置,其特征在于,具有:微透镜阵列,配置在应曝光基板的上方,相互层叠配置有多块各由多个微透镜2维配置而构成的单位微透镜阵列;掩模,配置在该微透镜阵列的上方,形成有既定的曝光图案;曝光光源,对该掩模照射曝光光;以及移动部件,使所述单位微透镜阵列的至少一部分相对于其他单位微透镜阵列移动,使得其构成微透镜的光轴偏移,通过使所述单位微透镜阵列间的光轴偏移,来调整利用微透镜阵列导致的基板上的曝光位置。
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