[发明专利]使用射束阻挡器执行工件的图案化植入有效
| 申请号： | 201180052954.1 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103229270A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·迪斯塔苏;罗素·J·洛 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/302 | 分类号： | H01J37/302;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;张洋 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 阻挡 执行 工件 图案 植入 | ||
【主权项】：
一种离子植入的方法，包括：产生具有长尺寸的离子束；在遍布所述长尺寸的多个位置处阻挡部分所述离子束；以及在所述阻挡之后，以第一剂量和第二剂量将所述离子束同步植入工件中，其中所述第一剂量对应所述多个位置且所述第二剂量高于所述第一剂量。
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