[发明专利]电介质薄膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201180053170.0 | 申请日： | 2011-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN103189968B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 木村勋;神保武人;小林宏树;远藤洋平;大西洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C01G21/06;C01G25/00;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;刘春元 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种电介质薄膜的成膜方法，具有在已抽真空的真空槽内一边加热衬底一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在所述衬底的表面形成PZT薄膜的成膜工序，在所述成膜工序之前具有使PbO气体附着于所述衬底的表面以形成PbO的种子层的种子层形成工序，在所述种子层形成工序中，在所述真空槽内对化学结构中含有Pb和O的释放源进行加热，使得从所述释放源放出PbO气体，在所述成膜工序中，使溅射出的PZT颗粒射向所述衬底的表面，在所述种子层上形成所述PZT薄膜，其特征在于，作为所述释放源，采用在从所述靶射出的PZT颗粒附着的位置上配置的第一防附着板上附着所述靶的溅射形成的PZT颗粒而由此形成的所述PZT薄膜，在所述种子层形成工序中，加热所述第一防附着板，使得从所述释放源放出所述PbO气体，在所述衬底的表面形成所述种子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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