[发明专利]基板和分割机构、生长薄膜及生长方法、分离方法、加热方法、外延晶片、发光二极管无效
申请号: | 201180053230.9 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN103348444A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 李亨坤 | 申请(专利权)人: | 李亨坤 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种作为基板的组合基板、防弯曲用基板及分割机构,所述基板为了省略将生长薄膜分割为所需的大小的分割来大大简化生产工序并减少生产成本,其目的在于能够在生长薄膜生长的过程中获得以指定的大小自然分割的生长薄膜(多个)、在薄膜生长过程中自然地在生长薄膜的部分厚度范围形成凹陷部、防止基板的弯曲现象,供给低缺陷高品质的生长薄膜、更均匀地加热基板、利用小块状单元片型基板来提高生产率和品质,而不是提供结束上述生长薄膜的生长后分割生长薄膜的方法;并提供利用上述基板来使生长薄膜生长的方法、分离方法、由上述方法(多个)获得的生长薄膜和为了化学蒸镀工序而使用的基板加热方法、发光二极管、垂直型发光二极管和外延晶片。 | ||
搜索关键词: | 分割 机构 生长 薄膜 方法 分离 加热 外延 晶片 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种组合基板,不仅能够完全除去或减少由于将在化学性薄膜生长(化学气相沉积)用基板上生长的生长薄膜A重新分割为以指定的形状分割的单元薄膜(或单元片)时实施的薄膜分割工序(能够使用切断、刻蚀等非限制性的方法)引起的分割部的缺陷产生概率,而且能够使低缺陷高品质的化学性生长薄膜生长,上述组合基板的特征在于,上述组合基板包含一个以上的基板和一个以上的分割机构,至少上述两种结构要素作为相互独立的部件,能够进行分离,在上述分割机构的表面物质上生长的生长薄膜A的生长率小于在上述基板的表面上生长的生长薄膜A的生长率,上述分割机构具有包含一个以上的穿孔和/或凹陷部的分割生长部,并以至少占有上述基板的最底面层级与上述基板的上表面+3mm上位层级之间的空间中一部分的状态与上述基板组合,以便通过上述分割生长部使用于上述薄膜生长用基板的表面露出于工序气体(蒸气),并在生长薄膜A在上述基板的表面生长时以由上述分割机构的分割生长部(在至少一部分的厚度范围)自然分割的状态获得生长薄膜A,上述分割机构的表面物质在摄氏500度下的饱和蒸气压为200Torr以下,与分割生长部的形状相对应的生长薄膜A以自然分割的状态在上述分割生长部生长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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